H5ANAG8NCMR-VKC vs H5ANAG8NAMR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NCMR-VKC par SK hynix et H5ANAG8NAMR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG8NCMR-VKC H5ANAG8NAMR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,05 $2,15
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 16 Gb —
Memory Organization 2G x 8 —
Débit de données 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) DDR4-2400 (2400 MT/s)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Boîtier FBGA-78 FBGA-78
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Speed Grade VK (per SK hynix speed-bin suffix) —
Power Class Normal Power —
Bank Groups 4 —
Banks Total 16 —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free FBGA package)
Packaging [DATA_NEEDED: standard packing quantity] —
Manufacturer Process CMOS DRAM —
Manufacturer — SK Hynix
Density — 16 Gbit
Organisation de la mémoire — 2G x 8
Tension d'alimentation — 1.2 V
Interface — Parallel, DDR4
Bank Group Architecture — DDR4 bank-group architecture
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Applications — Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis