H5ANAG8NCMR-VKC vs H5ANAG8NAMR-UHC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG8NCMR-VKC 제조: SK hynix 및 H5ANAG8NAMR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5ANAG8NCMR-VKC H5ANAG8NCMR-VKC - 16Gb DDR4-2666 x8 DRAM FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCMR-VKC - 16Gb DDR4-2666 x8 DRAM FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCMR-VKC ✓ 활성
SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5ANAG8NCMR-VKC H5ANAG8NAMR-UHC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $8.05 $2.15
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
메모리 크기 16 Gb —
Memory Organization 2G x 8 —
데이터 속도 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) DDR4-2400 (2400 MT/s)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
패키지 FBGA-78 FBGA-78
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Speed Grade VK (per SK hynix speed-bin suffix) —
Power Class Normal Power —
Bank Groups 4 —
Banks Total 16 —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS 레이턴시 [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free FBGA package)
Packaging [DATA_NEEDED: standard packing quantity] —
Manufacturer Process CMOS DRAM —
Manufacturer — SK Hynix
Density — 16 Gbit
메모리 구성 — 2G x 8
공급 전압 — 1.2 V
인터페이스 — Parallel, DDR4
Bank Group Architecture — DDR4 bank-group architecture
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4)
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Applications — Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules

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