H5ANAG8NCMR-VKC vs H5ANAG8NAMR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG8NCMR-VKC von SK hynix und H5ANAG8NAMR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG8NCMR-VKC H5ANAG8NAMR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $8,05 $2,15
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speichergröße 16 Gb —
Memory Organization 2G x 8 —
Datenrate 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) DDR4-2400 (2400 MT/s)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Gehäuse FBGA-78 FBGA-78
Montageart Surface Mount Surface Mount
Speed Grade VK (per SK hynix speed-bin suffix) —
Power Class Normal Power —
Bank Groups 4 —
Banks Total 16 —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free FBGA package)
Packaging [DATA_NEEDED: standard packing quantity] —
Manufacturer Process CMOS DRAM —
Manufacturer — SK Hynix
Density — 16 Gbit
Speicherorganisation — 2G x 8
Versorgungsspannung — 1.2 V
Schnittstelle — Parallel, DDR4
Bank Group Architecture — DDR4 bank-group architecture
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4)
MSL-Level — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Applications — Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules

Datenblätter & Ressourcen

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