H5ANAG8NCMR-VKC vs K4AAG085WM-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NCMR-VKC par SK hynix et K4AAG085WM-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG8NCMR-VKC | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,05 | $7,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| Débit de données | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-78 | 78FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | VK (per SK hynix speed-bin suffix) | — |
| Power Class | Normal Power | — |
| Bank Groups | 4 | — |
| Banks Total | 16 | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] | — |
| Manufacturer Process | CMOS DRAM | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 2G x 8 |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Interface | — | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Application Class | — | Memory IC / Storage Component |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |