H5ANAG8NCMR-VKC vs K4AAG085WM-BCWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG8NCMR-VKC por SK hynix y K4AAG085WM-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG8NCMR-VKC | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,05 | $7,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Encapsulado | FBGA-78 | 78FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | VK (per SK hynix speed-bin suffix) | — |
| Power Class | Normal Power | — |
| Bank Groups | 4 | — |
| Banks Total | 16 | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] | — |
| Manufacturer Process | CMOS DRAM | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Organización de memoria | — | 2G x 8 |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Interfaz | — | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Application Class | — | Memory IC / Storage Component |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |