H5ANAG8NCMR-VKC vs K4AAG085WM-BCWE 比較
詳細な並列比較: H5ANAG8NCMR-VKC メーカー: SK hynix および K4AAG085WM-BCWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5ANAG8NCMR-VKC | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | DRAM |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $8.05 | $7.00 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| データレート | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| パッケージ | FBGA-78 | 78FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | VK (per SK hynix speed-bin suffix) | — |
| Power Class | Normal Power | — |
| Bank Groups | 4 | — |
| Banks Total | 16 | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] | — |
| Manufacturer Process | CMOS DRAM | — |
| Density | — | 16 Gb |
| メモリ構成 | — | 2G x 8 |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| インターフェース | — | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Application Class | — | Memory IC / Storage Component |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |