H5TC4G63AFR-PBI vs MT41K256M16RE-125:D Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63AFR-PBI par SK hynix et MT41K256M16RE-125:D par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5TC4G63AFR-PBI MT41K256M16RE-125:D
Marque SK hynix Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Obsolete Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,50 $4,19
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Total Memory Size 4 Gb —
Débit de données DDR3-1600 (PC3L-12800) 1600 MT/s
Tension d'alimentation 1.35 V 1.35 V
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 (BL8) 8, 4
Latence CAS Programmable 11
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
Plage de température de fonctionnement -40°C to +95°C —
Boîtier 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) FBGA-96 (9x14 mm)
Type de montage Surface Mount —
Number of Terminals 96 —
Statut RoHS Compliant —
Density — 4 Gb
Température de fonctionnement — 0C to +95C (TC)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
On-Die Termination — Yes
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
Ball Pitch — 0.8 mm

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis