H5TC4G63AFR-PBI vs MT41K256M16RE-125:D Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5TC4G63AFR-PBI por SK hynix e MT41K256M16RE-125:D por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5TC4G63AFR-PBI MT41K256M16RE-125:D
Marca SK hynix Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Obsolete Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,50 $4,19
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Organização da memória 256M x 16 256M x 16
Total Memory Size 4 Gb —
Taxa de dados DDR3-1600 (PC3L-12800) 1600 MT/s
Tensão de alimentação 1.35 V 1.35 V
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 (BL8) 8, 4
Latência CAS Programmable 11
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
Faixa de temperatura de operação -40°C to +95°C —
Encapsulamento 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) FBGA-96 (9x14 mm)
Tipo de montagem Surface Mount —
Number of Terminals 96 —
Status RoHS Compliant —
Density — 4 Gb
Temperatura de operação — 0C to +95C (TC)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
On-Die Termination — Yes
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
Ball Pitch — 0.8 mm

Fichas técnicas e recursos

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