H5TC4G63CFR-PBL vs K4B4G1646D-BCK00 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63CFR-PBL par SK hynix et K4B4G1646D-BCK00 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | H5TC4G63CFR-PBL | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $5,90 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gb (256M x 16) | — |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Débit de données | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1600 Mbps/pin |
| Boîtier | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Form | BALL | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| Latence CAS | 11, 12, 13 | 11 (at 1600 Mbps) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Refresh Period | 7.8 us at 85C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to 95°C (Tcase) |