H5TC4G63CFR-PBL vs K4B4G1646D-BCK00 比較
詳細な並列比較: H5TC4G63CFR-PBL メーカー: SK hynix および K4B4G1646D-BCK00 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5TC4G63CFR-PBL | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.50 | $5.90 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| メモリサイズ | 4 Gb (256M x 16) | — |
| 電源電圧 | 1.35 V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| データレート | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1600 Mbps/pin |
| パッケージ | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Form | BALL | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| CASレイテンシ | 11, 12, 13 | 11 (at 1600 Mbps) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Refresh Period | 7.8 us at 85C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ハロゲンフリー | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gb |
| メモリ構成 | — | 256M x 16 |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| 動作温度 | — | 0°C to 95°C (Tcase) |