IAUA180N04S5N012AUMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUA180N04S5N012AUMA1 par Infineon et IAUCN04S7N037GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,96 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUA180N04S5N012AUMA1 —
Series OptiMOS-5 40 V OptiMOS 7
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 180 A (Tc) —
Maximum Power Dissipation (PD) 125 W (Tc) —
R_DS(on) (max) 1.2 mΩ at 10 V VGS —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Boîtier PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm² SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (Tj) [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Technology OptiMOS-5 Trench Trench MOSFET, N-Channel
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Statut RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

Fiches techniques et ressources

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