IAUC100N04S6L014ATMA1 vs IAUT300N08S5N011ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N04S6L014ATMA1 par Infineon et IAUT300N08S5N011ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L014ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC100N04S6L014ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,72 $5,40
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family IAUC / OptiMOS 6 40V —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 100 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 410 A (Tj)
R_DS(on) max (V_GS=10V) 1.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] 3.8 V
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: Q_G typical] —
Power Dissipation (P_D, Tc) 100 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55C to +175C
Boîtier PG-TDSON-8 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualification Yes —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL 1 1
Packaging Tape & Reel (ATMA1 suffix) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) — 300 A
R_DS(on) max — 1.10 mOhm at V_GS=10 V
Total Gate Charge (Q_g) — 231 nC at V_GS=10 V
Input Capacitance (C_iss) — 16.25 nF
Output Capacitance (C_oss) — 2.6 nF
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) — 130 pF
Power Dissipation (P_D) — 375 W at T_C=25C
Qualification — Automotive (AEC-Q101)

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