IAUC100N04S6L014ATMA1 vs IAUT300N08S5N011ATMA1 比較
詳細な並列比較: IAUC100N04S6L014ATMA1 メーカー: Infineon および IAUT300N08S5N011ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IAUC100N04S6L014ATMA1 | IAUT300N08S5N011ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.72 | $5.40 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | IAUC / OptiMOS 6 40V | — |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | — |
| Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 410 A (Tj) |
| R_DS(on) max (V_GS=10V) | 1.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | 3.8 V |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: Q_G typical] | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 100 W | — |
| 動作温度範囲 | -55C to +175C | -55C to +175C |
| パッケージ | PG-TDSON-8 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| MSLレベル | 1 | 1 |
| Packaging | Tape & Reel (ATMA1 suffix) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | — | 300 A |
| R_DS(on) max | — | 1.10 mOhm at V_GS=10 V |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | 231 nC at V_GS=10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 16.25 nF |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 2.6 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (C_rss) | — | 130 pF |
| Power Dissipation (P_D) | — | 375 W at T_C=25C |
| Qualification | — | Automotive (AEC-Q101) |