IAUC100N04S6L025ATMA1 vs IAUC120N04S6L012ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N04S6L025ATMA1 par Infineon et IAUC120N04S6L012ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC100N04S6L025ATMA1 | IAUC120N04S6L012ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,62 | $1,21 |
| Technology | OptiMOS 6 40V trench MOSFET | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] | 480 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 2.5 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | [DATA_NEEDED: Qg at 20V VGS] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 62 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 (TDSON-8, surface mount with exposed pad) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 6 40V |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 120 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) at 10V VGS | — | 1.2 mΩ (typ) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 115 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C (junction) |
| Delivery Form | — | Tape & Reel |