IAUC100N04S6L025ATMA1 vs IAUC120N04S6L012ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUC100N04S6L025ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC120N04S6L012ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IAUC100N04S6L025ATMA1 | IAUC120N04S6L012ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.62 | $1.21 |
| Technology | OptiMOS 6 40V trench MOSFET | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] | 480 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 2.5 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | [DATA_NEEDED: Qg at 20V VGS] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 62 W | — |
| 동작 접합 온도 | -55 C to +175 C | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 (TDSON-8, surface mount with exposed pad) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 6 40V |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 120 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) at 10V VGS | — | 1.2 mΩ (typ) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 115 W |
| 동작 온도 범위 | — | -55 °C to +175 °C (junction) |
| Delivery Form | — | Tape & Reel |