IAUC100N04S6L025ATMA1 vs IAUCN04S7N012ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N04S6L025ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N012ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC100N04S6L025ATMA1 | IAUCN04S7N012ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,62 | $1,18 |
| Technology | OptiMOS 6 40V trench MOSFET | OptiMOS-7 (trench) |
| Polarity | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 2.5 mOhm | 1.2 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 62 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-34 (8-PowerTDFN) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: junction temperature max from datasheet] |
| Transistor Grade | — | Automotive (AEC-Q101) |
| Dissipation de puissance (Ptot) | — | [DATA_NEEDED: Ptot at TC=25°C] |
| Thermal Resistance RθJA | — | [DATA_NEEDED: RθJA on JEDEC PCB] |
| Sans halogène | — | Yes |