IAUC100N04S6L025ATMA1 vs IAUCN04S7N012ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IAUC100N04S6L025ATMA1 от Infineon и IAUCN04S7N012ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | IAUC100N04S6L025ATMA1 | IAUCN04S7N012ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,62 | $1,18 |
| Technology | OptiMOS 6 40V trench MOSFET | OptiMOS-7 (trench) |
| Polarity | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 2.5 mOhm | 1.2 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 62 W | — |
| Рабочая температура перехода | -55 C to +175 C | — |
| Корпус | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-34 (8-PowerTDFN) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Диапазон рабочих температур | — | -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: junction temperature max from datasheet] |
| Transistor Grade | — | Automotive (AEC-Q101) |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | — | [DATA_NEEDED: Ptot at TC=25°C] |
| Thermal Resistance RθJA | — | [DATA_NEEDED: RθJA on JEDEC PCB] |
| Без галогенов | — | Yes |