IAUC100N08S5N043ATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N08S5N043ATMA1 par Infineon et IAUC60N06S5L073ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC100N08S5N043ATMA1 | IAUC60N06S5L073ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,72 | $0,41 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | IAUC / OptiMOS 5 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | N-Channel MOSFET |
| Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 100 A (package limited) | — |
| Continuous Drain Current (chip-limited) | 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W | — |
| Maximum R<sub>DS(on)</sub> | 4.3 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 125 W (T<sub>C</sub>) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C | -55C to +175C |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS / REACH | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | Trench (OptiMOS 5) |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 60 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.3 mΩ |
| Total Gate Charge (QG) | — | 17.4 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 52 W |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Qualification | — | AEC-Q101 automotive grade |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Thermal Resistance RθJA | — | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] |