IAUC100N08S5N043ATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUC100N08S5N043ATMA1 por Infineon e IAUC60N06S5L073ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | IAUC100N08S5N043ATMA1 | IAUC60N06S5L073ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,72 | $0,41 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | IAUC / OptiMOS 5 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | N-Channel MOSFET |
| Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 100 A (package limited) | — |
| Continuous Drain Current (chip-limited) | 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W | — |
| Maximum R<sub>DS(on)</sub> | 4.3 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 125 W (T<sub>C</sub>) | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55°C to +175°C | -55C to +175C |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | 8 | — |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS / REACH | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | Trench (OptiMOS 5) |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 60 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.3 mΩ |
| Total Gate Charge (QG) | — | 17.4 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 52 W |
| Número de pinos | — | 8 |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Qualification | — | AEC-Q101 automotive grade |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Thermal Resistance RθJA | — | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] |