IAUC100N08S5N043ATMA1 vs IAUZ30N08S5N186ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N08S5N043ATMA1 par Infineon et IAUZ30N08S5N186ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUZ30N08S5N186ATMA1 - 80V 18.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ30N08S5N186ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC100N08S5N043ATMA1 | IAUZ30N08S5N186ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,72 | $0,48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Series | IAUC / OptiMOS 5 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 100 A (package limited) | — |
| Continuous Drain Current (chip-limited) | 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W | — |
| Maximum R<sub>DS(on)</sub> | 4.3 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 125 W (T<sub>C</sub>) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C | -55 °C to +175 °C (automotive) |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) | PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS / REACH | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench) |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 30 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 41 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] |