IAUC120N04S6L012ATMA1 vs IAUC100N04S6L025ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N04S6L012ATMA1 par Infineon et IAUC100N04S6L025ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC120N04S6L012ATMA1 | IAUC100N04S6L025ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,21 | $0,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 6 40V | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 120 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 480 A | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at 10V VGS | 1.2 mΩ (typ) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg at 20V VGS] | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Power Dissipation (PD) at TC | 115 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (junction) | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 (TDSON-8, surface mount with exposed pad) | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Delivery Form | Tape & Reel | — |
| Technology | — | OptiMOS 6 40V trench MOSFET |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.5 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 62 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Lead-Free | — | Yes |