IAUC120N04S6L012ATMA1 vs IAUC100N04S6L025ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUC120N04S6L012ATMA1 por Infineon e IAUC100N04S6L025ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IAUC120N04S6L012ATMA1 | IAUC100N04S6L025ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,21 | $0,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 6 40V | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 120 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 480 A | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at 10V VGS | 1.2 mΩ (typ) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg at 20V VGS] | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Power Dissipation (PD) at TC | 115 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 °C to +175 °C (junction) | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 (TDSON-8, surface mount with exposed pad) | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Delivery Form | Tape & Reel | — |
| Technology | — | OptiMOS 6 40V trench MOSFET |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.5 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 62 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55 C to +175 C |
| Lead-Free | — | Yes |