IAUC120N04S6N009ATMA1 vs IAUA180N04S5N012AUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N04S6N009ATMA1 par Infineon et IAUA180N04S5N012AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC120N04S6N009ATMA1 | IAUA180N04S5N012AUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,60 | $1,96 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 40V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 120 A | — |
| Courant de drain pulsé | [DATA_NEEDED: pulsed I_D value] | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 0.9 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Q_g typ | [DATA_NEEDED: Q_g typical] | — |
| Power Dissipation (Tc) | 150 W | — |
| Thermal Resistance R_thJC max | 1.0 K/W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) | PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm² |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Niveau MSL | 1 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per Infineon product page) | — |
| Part Number | — | IAUA180N04S5N012AUMA1 |
| Series | — | OptiMOS-5 40 V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 180 A (Tc) |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 125 W (Tc) |
| R_DS(on) (max) | — | 1.2 mΩ at 10 V VGS |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| Technology | — | OptiMOS-5 Trench |
| Statut RoHS | — | Compliant |