IAUC120N04S6N009ATMA1 vs IAUA180N04S5N012AUMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUC120N04S6N009ATMA1 제조: Infineon 및 IAUA180N04S5N012AUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IAUC120N04S6N009ATMA1 | IAUA180N04S5N012AUMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.60 | $1.96 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 40V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 120 A | — |
| 펄스 드레인 전류 | [DATA_NEEDED: pulsed I_D value] | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 0.9 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Q_g typ | [DATA_NEEDED: Q_g typical] | — |
| Power Dissipation (Tc) | 150 W | — |
| Thermal Resistance R_thJC max | 1.0 K/W | — |
| 동작 접합 온도 | -55 °C to +175 °C | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) | PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm² |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| MSL 레벨 | 1 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per Infineon product page) | — |
| Part Number | — | IAUA180N04S5N012AUMA1 |
| Series | — | OptiMOS-5 40 V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 180 A (Tc) |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 125 W (Tc) |
| R_DS(on) (max) | — | 1.2 mΩ at 10 V VGS |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| 동작 온도 범위 | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| Technology | — | OptiMOS-5 Trench |
| RoHS 상태 | — | Compliant |