IAUC120N04S6N009ATMA1 vs IAUA180N04S5N012AUMA1 比較
詳細な並列比較: IAUC120N04S6N009ATMA1 メーカー: Infineon および IAUA180N04S5N012AUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | IAUC120N04S6N009ATMA1 | IAUA180N04S5N012AUMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.60 | $1.96 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 40V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 120 A | — |
| パルスドレイン電流 | [DATA_NEEDED: pulsed I_D value] | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 0.9 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Q_g typ | [DATA_NEEDED: Q_g typical] | — |
| Power Dissipation (Tc) | 150 W | — |
| Thermal Resistance R_thJC max | 1.0 K/W | — |
| 動作接合温度 | -55 °C to +175 °C | — |
| パッケージ | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) | PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm² |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| MSLレベル | 1 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per Infineon product page) | — |
| Part Number | — | IAUA180N04S5N012AUMA1 |
| Series | — | OptiMOS-5 40 V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 180 A (Tc) |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 125 W (Tc) |
| R_DS(on) (max) | — | 1.2 mΩ at 10 V VGS |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| 動作温度範囲 | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| Technology | — | OptiMOS-5 Trench |
| RoHS ステータス | — | Compliant |