IAUC120N06S5L011ATMA1 vs IPB020N10N5LFATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N06S5L011ATMA1 par Infineon et IPB020N10N5LFATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N06S5L011ATMA1 - 60V 1.1mOhm 310A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L011ATMA1 ✓ ActifInfineon
IPB020N10N5LFATMA1 - 100V 176A 2mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon
IPB020N10N5LFATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC120N06S5L011ATMA1 | IPB020N10N5LFATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,10 | $2,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 60 V (S5 generation) | OptiMOS 5 Linear FET |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | [DATA_NEEDED: max V_GS rating] | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 310 A (Tj), 120 A marketing | — |
| R_DS(on) max | [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V] | — |
| Power Dissipation (P_D) | 188 W at T_C = 25 °C | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Avalanche Energy Rated | Yes (EAS) | — |
| Technology | — | N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 176 A |
| Silicon-Limited Drain Current | — | 289 A |
| Package-Limited Drain Current | — | 120 A |
| Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) | — | 10.2 A |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 2.0 mΩ |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 313 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5 V |
| Marking Code | — | 020N10LF |