IAUC120N06S5L015ATMA1 vs IAUC41N06S5N102ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N06S5L015ATMA1 par Infineon et IAUC41N06S5N102ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUC41N06S5N102ATMA1 - 60V 47A 10.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon
IAUC41N06S5N102ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC120N06S5L015ATMA1 | IAUC41N06S5N102ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,92 | $0,58 |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 235 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) | 1.5 mΩ | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | 88 nC | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 167 W | 42 W |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C (Tj) | -55C to +175C (junction) |
| Boîtier | PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount |
| Type de montage | Surface Mount (exposed pad) | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Drain-Source On-State Resistance Test Conditions | VGS = 10 V, ID = 50 A | — |
| Typical Application | Automotive DC-DC, battery switches, motor drives | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 47 A (Tj) |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.4 V (typical) |
| Total Gate Charge (QG) | — | 12.5 nC |
| Channel Polarity | — | N-Channel (single) |