IAUC120N06S5L015ATMA1 vs IAUC41N06S5N102ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUC120N06S5L015ATMA1 por Infineon e IAUC41N06S5N102ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ AtivoInfineon
IAUC41N06S5N102ATMA1 - 60V 47A 10.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon
IAUC41N06S5N102ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IAUC120N06S5L015ATMA1 | IAUC41N06S5N102ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,92 | $0,58 |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 235 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) | 1.5 mΩ | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | 88 nC | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 167 W | 42 W |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +175C (Tj) | -55C to +175C (junction) |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount |
| Tipo de montagem | Surface Mount (exposed pad) | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Drain-Source On-State Resistance Test Conditions | VGS = 10 V, ID = 50 A | — |
| Typical Application | Automotive DC-DC, battery switches, motor drives | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 47 A (Tj) |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.4 V (typical) |
| Total Gate Charge (QG) | — | 12.5 nC |
| Channel Polarity | — | N-Channel (single) |