IAUC120N06S5L015ATMA1 vs IAUC41N06S5N102ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUC120N06S5L015ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC41N06S5N102ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IAUC120N06S5L015ATMA1 | IAUC41N06S5N102ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.92 | $0.58 |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 235 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) | 1.5 mΩ | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | 88 nC | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 167 W | 42 W |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C (Tj) | -55C to +175C (junction) |
| 패키지 | PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount |
| 실장 유형 | Surface Mount (exposed pad) | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Drain-Source On-State Resistance Test Conditions | VGS = 10 V, ID = 50 A | — |
| Typical Application | Automotive DC-DC, battery switches, motor drives | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 47 A (Tj) |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.4 V (typical) |
| Total Gate Charge (QG) | — | 12.5 nC |
| Channel Polarity | — | N-Channel (single) |