IAUC41N06S5L100ATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC41N06S5L100ATMA1 par Infineon et ISC015N04NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUC41N06S5L100ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC41N06S5L100ATMA1 | ISC015N04NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,43 | $0,98 |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench MOSFET) | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 41 A | — |
| Power Dissipation (PD, TC) | 42 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 10 mOhm at VGS=10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: max VGS rating] | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 3.4 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) |
| Boîtier | PG-TDSON-8-33 (TDSON-8, 5x6 mm) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per Infineon SuperSO8 family) |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101 automotive grade) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Interconnect | Copper clip (low-inductance) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 40V Normal Level |
| FET Type | — | N-Channel |
| R_DS(on) max | — | 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 206 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 115 W |
| Boîtier / Format | — | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Drive Level | — | Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) |