IAUC41N06S5L100ATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC41N06S5L100ATMA1 メーカー: Infineon および ISC015N04NM5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUC41N06S5L100ATMA1 IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L100ATMA1 ✓ 生産中
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ISC015N04NM5ATMA1 ISC015N04NM5ATMA1 - 40V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N04NM5ATMA1 - 40V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N04NM5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC41N06S5L100ATMA1 ISC015N04NM5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.43 $0.98
Technology OptiMOS 5 (Trench MOSFET) OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 41 A —
Power Dissipation (PD, TC) 42 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 10 mOhm at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 3.4 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
動作温度範囲 -55C to +175C -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5)
パッケージ PG-TDSON-8-33 (TDSON-8, 5x6 mm) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per Infineon SuperSO8 family)
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101 automotive grade) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Interconnect Copper clip (low-inductance) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 40V Normal Level
FET Type — N-Channel
R_DS(on) max — 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 206 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 115 W
パッケージ / ケース — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
ピン数 — 8
Drive Level — Normal Level (VGS(th) ~3.4 V)

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