IAUC41N06S5N102ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC41N06S5N102ATMA1 par Infineon et IAUCN08S7L033ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,58 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 47 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 42 W —
On-Resistance (RDS(on)) 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.4 V (typical) —
Total Gate Charge (QG) 12.5 nC —
Boîtier PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55°C to +175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Channel Polarity N-Channel (single) —
Series — Automotive OptiMOS 7
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
Technology — OptiMOS 7 trench MOSFET
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)

Fiches techniques et ressources

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