IAUC41N06S5N102ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC41N06S5N102ATMA1 por Infineon e IAUCN08S7L033ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,58 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 47 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 42 W —
On-Resistance (RDS(on)) 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.4 V (typical) —
Total Gate Charge (QG) 12.5 nC —
Encapsulamento PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) -55°C to +175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family) —
Status RoHS Compliant Compliant
Channel Polarity N-Channel (single) —
Series — Automotive OptiMOS 7
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
Technology — OptiMOS 7 trench MOSFET
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)

Fichas técnicas e recursos

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