IAUCN04S7L009ATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7L009ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N027GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN04S7L009ATMA1 - 40V 275A 0.91mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon
IAUCN04S7L009ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7L009ATMA1 | IAUCN04S7N027GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,96 | $0,72 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUCN04S7L009ATMA1 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 7 (trench-gate) | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) | 275 A (Tj) | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) | 175 A | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) | 129 W | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | 0.91 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (Tj) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Niveau MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds max) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 117 A |
| On-Resistance (Rds(on) max) | — | 2.67 mOhm |
| Power Dissipation (Pd) | — | 70 W (Tc) |
| Boîtier / Format | — | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) |
| Qualification | — | Automotive |
| Gate-Source Voltage Max (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy FR-4 |