IAUCN04S7L009ATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7L009ATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N027GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN04S7L009ATMA1 IAUCN04S7N027GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,96 $0,72
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUCN04S7L009ATMA1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 7 (trench-gate) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) 275 A (Tj) —
Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) 175 A —
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) 129 W —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 0.91 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Encapsulamento PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (Tj) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Nível MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL]
Status RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds max) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) — 117 A
On-Resistance (Rds(on) max) — 2.67 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 70 W (Tc)
Encapsulamento / Caixa — PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6)
Qualification — Automotive
Gate-Source Voltage Max (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy FR-4

Fichas técnicas e recursos

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