IAUCN04S7L028ATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7L028ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N027GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7L028ATMA1 | IAUCN04S7N027GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,88 | $0,72 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 100 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 2.80 mOhm at VGS=10 V | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 2.82 mOhm at VGS=10 V (JLCPCB reported) | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 1.8 V (typ) | — |
| Gate Charge (Qg) | 24 nC at VGS=10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.578 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 788 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 36 pF | — |
| Dissipation de puissance (Ptot) | 58 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 EP) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds max) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 117 A |
| On-Resistance (Rds(on) max) | — | 2.67 mOhm |
| Power Dissipation (Pd) | — | 70 W (Tc) |
| Boîtier / Format | — | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) |
| Qualification | — | Automotive |
| Plage de température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Gate-Source Voltage Max (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL] |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy FR-4 |