IAUCN04S7N019DATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N019DATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N037GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN04S7N019DATMA1 - 40V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon
IAUCN04S7N019DATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7N019DATMA1 | IAUCN04S7N037GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,05 | $0,89 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 7 40V | Trench MOSFET, N-Channel |
| Configuration | Dual N-Channel (array) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 160 A (Tj) | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 96 W | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-60 (SuperSO8) | SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (IMS substrate attach compatible) |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Input Capacitance (Ciss, typ.) | 1.465 nF | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (family) | AEC-Q101 |
| ESD Protection | Yes (gate integrated) | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, family default) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 91 A |
| On-State Resistance RDS(on) typical | — | 3.65 mΩ at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 57 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| Plage de température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] |
| Gate Charge (Qg) typical | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |