IAUCN04S7N056DATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N056DATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N037GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7N056DATMA1 | IAUCN04S7N037GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,68 | $0,89 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUCN04S7N056DATMA1 | — |
| Series | OptiMOS 5 40V | OptiMOS 7 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 60 A (Tj) | — |
| RDS(on) (typ) | 5.59 mΩ | — |
| Power Dissipation (Pd) | 41 W (Tc) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C | [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] |
| Boîtier | PG-TDSON-8-61 (TDSON EP, 5x6 mm) | SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (IMS substrate attach compatible) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | Trench MOSFET, N-Channel |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging Type | Tape & Reel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 91 A |
| On-State Resistance RDS(on) typical | — | 3.65 mΩ at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 57 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Gate Charge (Qg) typical | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |