IAUCN04S7N056DATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S7N056DATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7N037GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN04S7N056DATMA1 IAUCN04S7N056DATMA1 - 40V N-Channel MOSFET 5.6mΩ | Infineon

IAUCN04S7N056DATMA1 - 40V N-Channel MOSFET 5.6mΩ | Infineon

IAUCN04S7N056DATMA1 ✓ 生産中
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IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN04S7N056DATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.68 $0.89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUCN04S7N056DATMA1 —
Series OptiMOS 5 40V OptiMOS 7
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 60 A (Tj) —
RDS(on) (typ) 5.59 mΩ —
Power Dissipation (Pd) 41 W (Tc) —
動作温度範囲 -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
パッケージ PG-TDSON-8-61 (TDSON EP, 5x6 mm) SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET Trench MOSFET, N-Channel
RoHS ステータス Compliant Compliant
Packaging Type Tape & Reel —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

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