IAUCN04S7N056DATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7N056DATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N037GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IAUCN04S7N056DATMA1 | IAUCN04S7N037GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,68 | $0,89 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUCN04S7N056DATMA1 | — |
| Series | OptiMOS 5 40V | OptiMOS 7 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 60 A (Tj) | — |
| RDS(on) (typ) | 5.59 mΩ | — |
| Power Dissipation (Pd) | 41 W (Tc) | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55°C to +175°C | [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-61 (TDSON EP, 5x6 mm) | SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount (IMS substrate attach compatible) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | Trench MOSFET, N-Channel |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging Type | Tape & Reel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 91 A |
| On-State Resistance RDS(on) typical | — | 3.65 mΩ at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 57 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Gate Charge (Qg) typical | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |