IAUCN08S7L018ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN08S7L018ATMA1 par Infineon et IAUC120N06S5L015ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN08S7L018ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,55 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 —
Technology N-Channel Trench MOSFET N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj 210 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc [DATA_NEEDED: ID at Tc] —
Maximum RDS(on) at VGS=10 V 1.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C 169 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C -55C to +175C (Tj)
Boîtier PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) PG-TDSON-8-43 (Surface Mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (exposed pad)
Qualification Automotive (per Infineon part description) —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 235 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg, typ) — 88 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 167 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions — VGS = 10 V, ID = 50 A
Typical Application — Automotive DC-DC, battery switches, motor drives

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