IAUCN08S7L018ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN08S7L018ATMA1 por Infineon e IAUC120N06S5L015ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN08S7L018ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,55 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 —
Technology N-Channel Trench MOSFET N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj 210 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc [DATA_NEEDED: ID at Tc] —
Maximum RDS(on) at VGS=10 V 1.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C 169 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C -55C to +175C (Tj)
Encapsulamento PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) PG-TDSON-8-43 (Surface Mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (exposed pad)
Qualification Automotive (per Infineon part description) —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Status RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 235 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg, typ) — 88 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 167 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions — VGS = 10 V, ID = 50 A
Typical Application — Automotive DC-DC, battery switches, motor drives

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