IAUCN08S7L033ATMA1 vs IAUC120N06S5N017ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN08S7L033ATMA1 par Infineon et IAUC120N06S5N017ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N06S5N017ATMA1 - 60V 120A 1.7mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5N017ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN08S7L033ATMA1 | IAUC120N06S5N017ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,86 | $1,32 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | Automotive OptiMOS 7 | OptiMOS 5 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 60 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 3.3 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 130 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 118 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C (TJ) | -55°C to +175°C |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) | PG-TDSON-8-43 (TDSON-8 EP) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) | — |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) | MSL1 (260°C peak reflow) |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 120 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 757 A |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 1.7 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.4 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 95.9 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 6.952 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 84 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 1.507 nF |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 167 W |
| AEC-Q101 Qualification | — | Yes (Automotive Grade) |
| RoHS Compliance | — | Green Product (RoHS compliant) |