IAUCN10S5L110TATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN10S5L110TATMA1 par Infineon et IAUCN10S5L280DATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN10S5L110TATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,08 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Technology N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level OptiMOS 5 Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 61 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.3 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Power Dissipation (PD) at Tc 88 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Boîtier PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL1 (260°C peak reflow) 1
Avalanche Rated 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Extended Qualification —
Statut RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 5
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (junction)
Nombre de broches — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

Fiches techniques et ressources

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