IAUCN10S5L110TATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN10S5L110TATMA1 por Infineon e IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN10S5L110TATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,08 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Technology N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level OptiMOS 5 Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 61 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.3 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Power Dissipation (PD) at Tc 88 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Encapsulamento PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 (260°C peak reflow) 1
Avalanche Rated 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Extended Qualification —
Status RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 5
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C (junction)
Contagem de pinos — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

Fichas técnicas e recursos

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