IAUCN10S5L110TATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUCN10S5L110TATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN10S5L280DATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUCN10S5L110TATMA1 IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L110TATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUCN10S5L110TATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.08 $1.62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Technology N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level OptiMOS 5 Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 61 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.3 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Power Dissipation (PD) at Tc 88 W —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
패키지 PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled PG-TDSON-8-61 (SSO8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 MSL1 (260°C peak reflow) 1
Avalanche Rated 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Extended Qualification —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 5
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
동작 온도 범위 — -55C to +175C (junction)
핀 수 — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청