IAUT300N08S5N014ATMA1 vs IAUT300N08S5N011ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUT300N08S5N014ATMA1 par Infineon et IAUT300N08S5N011ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUT300N08S5N014ATMA1 - 80V 300A 1.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUT300N08S5N014ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUT300N08S5N014ATMA1 | IAUT300N08S5N011ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,05 | $5,40 |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 300 A (DC) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 1.4 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max] | — |
| Power Dissipation PD @ TC=25°C | 300 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-HSOF-8-1 (8-pin + tab, Surface Mount) | PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 (unlimited floor life at ≤30 °C / 85 % RH) | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 °C | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Tested | 100 % (per Infineon datasheet) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Green Product) | — |
| Technology Family | OptiMOS 5 (Infineon) | — |
| Technology | — | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | — | 300 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 410 A (Tj) |
| R_DS(on) max | — | 1.10 mOhm at V_GS=10 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.8 V |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | 231 nC at V_GS=10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 16.25 nF |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 2.6 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (C_rss) | — | 130 pF |
| Power Dissipation (P_D) | — | 375 W at T_C=25C |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Niveau MSL | — | 1 |
| Qualification | — | Automotive (AEC-Q101) |