IAUT300N08S5N014ATMA1 vs IAUT300N08S5N011ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUT300N08S5N014ATMA1 от Infineon и IAUT300N08S5N011ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUT300N08S5N014ATMA1 IAUT300N08S5N014ATMA1 - 80V 300A 1.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N014ATMA1 - 80V 300A 1.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N014ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUT300N08S5N014ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,05 $5,40
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 300 A (DC) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V (typ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 1.4 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max] —
Power Dissipation PD @ TC=25°C 300 W —
Рабочая температура перехода -55 °C to +175 °C —
Корпус PG-HSOF-8-1 (8-pin + tab, Surface Mount) PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (unlimited floor life at ≤30 °C / 85 % RH) —
Peak Reflow Temperature 260 °C —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Tested 100 % (per Infineon datasheet) —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Technology Family OptiMOS 5 (Infineon) —
Technology — OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) — 300 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 410 A (Tj)
R_DS(on) max — 1.10 mOhm at V_GS=10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.8 V
Total Gate Charge (Q_g) — 231 nC at V_GS=10 V
Input Capacitance (C_iss) — 16.25 nF
Output Capacitance (C_oss) — 2.6 nF
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) — 130 pF
Power Dissipation (P_D) — 375 W at T_C=25C
Диапазон рабочих температур — -55C to +175C
Уровень MSL — 1
Qualification — Automotive (AEC-Q101)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену