IAUTN04S7N003ATMA1 vs IAUCN04S7N015GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUTN04S7N003ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N015GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUTN04S7N003ATMA1 - 40V 350A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IAUTN04S7N003ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUTN04S7N003ATMA1 | IAUCN04S7N015GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,42 | $2,21 |
| Technology | OptiMOS 7 N-Channel Trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 350 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 357 W | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 0.24 mOhm (typical) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Avalanche Single-Pulse Current | [DATA_NEEDED: IAS] | — |
| Body Diode Continuous Forward Current | 350 A (Tj = 25 °C) | — |
| Body Diode Pulse Current | 3510 A (tp = 100 µs, Tj = 25 °C) | — |
| Body Diode Forward Voltage (VSD) | 0.95 V max (0.8 V typ) at IS = 100 A | — |
| Reverse Recovery Time (trr) | 83 ns typical / 125 ns max | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 126 nC typical / 252 nC max | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| Boîtier | PG-HSOF-8-9 (TOLL, 10x12 mm, surface mount) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (IMS-compatible source-down) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 165 A (Tc) |
| Power Dissipation (P_D) | — | 96 W (Tc) |
| R_DS(on) max | — | 1.53 mΩ at V_GS=10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |