IAUTN04S7N003ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUTN04S7N003ATMA1 par Infineon et ISC011N04NM7VATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUTN04S7N003ATMA1 - 40V 350A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IAUTN04S7N003ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUTN04S7N003ATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,42 | $0,41 |
| Technology | OptiMOS 7 N-Channel Trench MOSFET | Trench MOSFET, silicon |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 350 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 357 W | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 0.24 mOhm (typical) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Avalanche Single-Pulse Current | [DATA_NEEDED: IAS] | — |
| Body Diode Continuous Forward Current | 350 A (Tj = 25 °C) | — |
| Body Diode Pulse Current | 3510 A (tp = 100 µs, Tj = 25 °C) | — |
| Body Diode Forward Voltage (VSD) | 0.95 V max (0.8 V typ) at IS = 100 A | — |
| Reverse Recovery Time (trr) | 83 ns typical / 125 ns max | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 126 nC typical / 252 nC max | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (Tj) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Boîtier | PG-HSOF-8-9 (TOLL, 10x12 mm, surface mount) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |